VBP112MC30_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:80mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V高耐壓碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備優異的導通與開關性能。其最大漏極電流ID為36A，導通電阻RDON低至80mΩ，能夠在高電壓和高電流條件下實現高效功率轉換。碳化硅材料的使用提升了器件的熱穩定性和高頻工作能力，適用于電源適配器、新能源設備及高密度電力電子系統中的功率管理與調節。器件結構設計緊湊，便于集成，適合對效率和可靠性有較高要求的電力電子應用。
