S1M014120H_TO-247-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:TO-247-4L 類別:碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:ID:165A 參數(shù)2:VDSS:1200V 參數(shù)3:RDON:13mR 參數(shù)4:TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為1200V高壓碳化硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),最大漏極電流可達(dá)165A,導(dǎo)通電阻低至13mΩ,具備優(yōu)異的電流承載能力和導(dǎo)通效率。基于碳化硅材料,該器件在高溫和高壓環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定工作,適用于高效電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng),如光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、高密度電源模塊及智能電網(wǎng)設(shè)備。其高頻開關(guān)特性有助于提升整體系統(tǒng)效率,同時(shí)降低能量損耗和散熱需求,標(biāo)準(zhǔn)封裝設(shè)計(jì)便于集成與應(yīng)用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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