MDDG1C120R080K3_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:80mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），采用先進碳化硅材料工藝，具備高耐壓與低導通電阻特性。最大連續漏極電流（ID）為36A，典型導通電阻（RDON）低至80mΩ，可實現高效功率轉換。適用于高頻率開關電源、高效能電源轉換器及高性能電力電子系統，為復雜電力環境下的穩定運行提供保障。器件結構設計優化，具備良好的熱穩定性和可靠性，適合對效率和空間布局有高要求的應用場景。
