IPD65R600C6BTMA1-HXY_TO-252-2L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:6.8A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:460mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和6.8A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）典型值為460mΩ，支持-4V至!8V的柵源電壓范圍（VGS）。器件基于碳化硅材料，具備優(yōu)異的耐壓性能與熱導(dǎo)特性，開關(guān)速度快，反向恢復(fù)損耗低。適用于高效率、高頻率的功率變換應(yīng)用，如大功率開關(guān)電源、高密度DC-DC轉(zhuǎn)換器、光伏逆變模塊及儲(chǔ)能系統(tǒng)中的功率級(jí)設(shè)計(jì)，有助于提升能效并減小系統(tǒng)體積。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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