STF19NM65N-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道碳化硅場效應(yīng)管具有650V的漏源電壓（VDSS）和15A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至260mΩ，適用于高效率功率轉(zhuǎn)換設(shè)計。其柵源電壓范圍為-5V至!6V，具備良好的開關(guān)特性與熱穩(wěn)定性。得益于碳化硅材料的優(yōu)異性能，器件在高頻、高壓工作條件下仍能保持較低損耗，廣泛應(yīng)用于高效電源變換器、可再生能源發(fā)電系統(tǒng)及高密度電源模塊中，適合對能效和功率密度有較高要求的場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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