IPD60R385CP-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為260mΩ，有助于降低導通損耗。柵源電壓（VGS）支持-5V至!6V范圍，確保驅動可靠性與靈活性。采用碳化硅材料，具備優異的耐高溫與高頻特性，適用于高效率開關電源、直流變換模塊及可再生能源發電中的功率轉換電路。其低損耗和高熱導率特性，有利于提升系統整體能效與功率密度，適合嚴苛的電力電子應用環境。
