STD12N65M2-HXY_TO-252-2L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:6.8A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:460mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和6.8A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）典型值為460mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗并提升能效。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩(wěn)定可靠的柵極驅(qū)動(dòng)控制?；谔蓟璨牧系奶匦?，該器件可在高電壓、高溫環(huán)境下運(yùn)行，同時(shí)保持優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能。適用于高效率電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如大功率開(kāi)關(guān)電源、不間斷電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)及可再生能源逆變裝置，尤其適合對(duì)功率密度和熱管理有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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