STD10NM65N-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:6.8A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:460mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和6.8A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）典型值為460mΩ，可有效降低導(dǎo)通損耗。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩(wěn)定可靠的柵極驅(qū)動(dòng)控制。采用碳化硅材料，器件具有優(yōu)異的耐壓能力與熱導(dǎo)性能，適用于高頻率、高效率的開關(guān)電源、直流電壓變換電路及可再生能源發(fā)電系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊，有助于提升系統(tǒng)功率密度并減少能量損耗。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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