FL06250A-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）典型值為260mΩ，可有效降低導通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保可靠的柵極控制與器件安全。基于碳化硅材料，具備優異的高頻開關能力與高溫工作穩定性，適用于高功率密度電源轉換系統。典型應用場景涵蓋高效DC-DC變換器、大功率電源適配器、儲能系統逆變單元及高性能電機驅動電路等。
