S1M032120H_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:25mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），采用高性能碳化硅半導體技術，具有高耐壓、低導通電阻和快速開關特性。其漏極電流ID可達80A，導通電阻RDON僅為25mΩ，可顯著降低功率損耗，提高系統效率。適用于高功率密度電源轉換設備，如高效能開關電源、新能源發電系統及電力儲能裝置。優化的器件結構確保了良好的熱管理與長期工作穩定性，滿足多種嚴苛應用場景的技術需求。
