CI90N120SM_TO-247_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:25mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為1200V碳化硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），具備優(yōu)異的導(dǎo)通能力和高效的開關(guān)特性。其最大漏極電流ID可達(dá)80A，導(dǎo)通電阻RDON低至25mΩ，顯著降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)能效。碳化硅材料賦予器件出色的耐高壓與熱管理性能，適合高功率密度和高頻應(yīng)用需求。該MOSFET可廣泛應(yīng)用于高效能電源轉(zhuǎn)換、智能電網(wǎng)設(shè)備、精密電機(jī)驅(qū)動(dòng)及高可靠性電子系統(tǒng)中，為先進(jìn)電路設(shè)計(jì)提供強(qiáng)有力的支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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