IMZA65R039M1HXKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:52A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:40mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET），具備52A的連續(xù)漏極電流能力，漏源擊穿電壓為650V，確保在中高壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。導(dǎo)通電阻低至40mΩ，有效減少導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)能效。碳化硅材料賦予器件優(yōu)異的熱導(dǎo)性能和高頻工作特性，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、精密電機(jī)控制及高性能電力電子系統(tǒng)，滿足復(fù)雜電路設(shè)計(jì)對(duì)高可靠性和高響應(yīng)速度的要求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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