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LGE3M35120Q_TO-247-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247-4L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:63A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:32mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

本產(chǎn)品為1200V耐壓的N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具備低導(dǎo)通電阻特性，典型值為32mΩ，可支持持續(xù)漏極電流達(dá)63A。碳化硅材料的應(yīng)用顯著提升了器件的開(kāi)關(guān)效率與熱穩(wěn)定性，適用于高頻率、高效率的功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。該器件可廣泛用于高效能電源系統(tǒng)，如高密度電源模塊、快速充電設(shè)備及可再生能源轉(zhuǎn)換裝置中，滿(mǎn)足對(duì)小型化與高效能有要求的電路設(shè)計(jì)需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

LGE3M35120Q_TO-247-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247-4L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:63A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:32mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247-4L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:63A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:32mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)