GC3M0040120D_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本產品為1200V高壓碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備優異的導通與開關性能。其最大漏極電流ID可達60A，導通電阻RDON低至40mΩ，確保在高電流工作條件下仍保持較低的導通損耗。采用碳化硅材料工藝，器件具備更高的熱穩定性和耐高壓能力，適用于需要高效能功率轉換的場景。該MOSFET可廣泛應用于能源系統、智能電網、高端電源變換器及精密電機控制電路中，為電路設計提供更高的可靠性和效率支持。
