IV1Q12080T4Z_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:32A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具備優異的導通與開關性能。其最大漏極電流ID為32A，導通電阻RDON低至75mΩ，可有效降低導通損耗，提高系統效率。高耐壓特性使其適用于高功率密度電源轉換系統，如高效能直流電源、儲能系統及智能電網設備。器件基于碳化硅材料，具備良好的熱穩定性和高頻工作能力，適合對效率與可靠性有較高要求的電力電子應用。
