GC3M0040120K_TO-247-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:60A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:40mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款碳化硅N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有1200V的漏源擊穿電壓（VDSS）和60A的最大漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDON）低至40mΩ，展現(xiàn)出優(yōu)異的高電壓與大電流處理能力。器件基于碳化硅材料，具備出色的熱穩(wěn)定性和高頻開關(guān)特性，適用于高效電源轉(zhuǎn)換裝置，如光伏逆變系統(tǒng)、儲能變換器、高密度適配器及智能電力調(diào)控設(shè)備。標準封裝設(shè)計便于電路集成，適用于追求高效與高可靠性的應(yīng)用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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