LGE3M80120Q_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:32A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:75mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本產品為1200V碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具有32A的連續漏極電流承載能力及75mΩ的低導通電阻。基于碳化硅材料，具備優異的高溫穩定性和導熱性能，適用于高頻、高功率密度的電力電子系統。其高耐壓與低損耗特性，使其在高效電源變換、新能源發電、儲能管理以及高精度控制電路中表現出色，為復雜電路設計提供了高性能的解決方案。
