IV1Q12080T3Z_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:36A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:80mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為1200V N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET），具有優(yōu)異的高頻開關(guān)特性與低導(dǎo)通損耗。其最大漏極電流ID為36A，導(dǎo)通電阻RDON為80mΩ，能夠在高功率密度環(huán)境下實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換。碳化硅材料賦予器件出色的熱穩(wěn)定性和耐高溫能力，適用于高效率電源系統(tǒng)，如光伏逆變器、不間斷電源及智能電網(wǎng)相關(guān)設(shè)備，是提升電力電子裝置整體性能的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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