B1D06065F_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：IF:6A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.36V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備6A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），正向壓降低至1.36V，可有效減少導通損耗，提升系統(tǒng)能效。其基于碳化硅材料的特性，支持高頻開關(guān)操作，反向恢復特性優(yōu)異，有助于減小外圍元件尺寸并優(yōu)化熱管理設(shè)計。該器件適用于高功率密度電源轉(zhuǎn)換場景，如高效開關(guān)電源、光伏逆變系統(tǒng)及高可靠性能源模塊，能夠滿足對散熱性能和長期穩(wěn)定性要求較高的電路需求，是提升整體系統(tǒng)效率的關(guān)鍵元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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