IPA60R280P7SXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:TO-220F 類(lèi)別:碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:50/管裝 參數(shù)1:ID:20A 參數(shù)2:VDSS:650V 參數(shù)3:RDON:160mR 參數(shù)4:VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道碳化硅MOSFET具備650V的漏源電壓(VDSS)與20A的連續(xù)漏極電流(ID)能力,導(dǎo)通電阻低至160mΩ,有助于減少導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V,支持穩(wěn)定可靠的柵極控制。基于碳化硅材料的高耐壓與低損耗特性,該器件適用于高頻、高效率的功率轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)。典型應(yīng)用包括大功率開(kāi)關(guān)電源、可再生能源發(fā)電中的直流變換裝置、儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)模塊以及高密度電源適配與能量管理設(shè)備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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