HXY20N50F_TO-220F_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:20A 參數2：VDSS:500V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:30V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具備500V漏源擊穿電壓（VDSS）和30V柵源電壓容限（VGS），連續漏極電流（ID）可達20A，導通電阻（RDON）為260mΩ。器件適用于高電壓開關應用，如開關模式電源、逆變器電路、高壓直流負載的功率控制以及電能轉換裝置。較高的電壓耐受能力使其適合用于主電源側的開關設計，支持高效能電能管理。其參數特性可滿足對電壓安全裕量和穩定導通性能有要求的電子設備，適用于需要高耐壓與適度電流承載能力的功率開關場景。
