STD11N65M5-HXY_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:6.8A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:460mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有650V的漏源電壓（VDSS）和6.8A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至460mΩ，適用于高效率功率轉換設計。柵源電壓范圍為-4V至!8V，具備良好的開關特性和熱穩定性。基于碳化硅材料的特性，器件在高頻、高壓工作環境下仍能保持較低的開關損耗與導通損耗，適合用于電源適配器、光伏逆變系統及高效能直流變換模塊等應用場合，可提升整體系統能效并減小散熱設計負擔。
