WSJM65R260XQ-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅場效應(yīng)管具備650V的漏源擊穿電壓，連續(xù)漏極電流達(dá)15A，導(dǎo)通電阻典型值為260mΩ，在高溫與高頻工作環(huán)境下仍能保持優(yōu)異的導(dǎo)電性能。柵源電壓范圍為-5V至!6V，確保了器件的穩(wěn)定驅(qū)動與可靠關(guān)斷。采用寬禁帶半導(dǎo)體材料，顯著降低開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)整體能效。適用于高功率密度電源轉(zhuǎn)換裝置，如高效開關(guān)電源、太陽能逆變系統(tǒng)及高壓直流變換模塊，可有效提升系統(tǒng)效率并減小散熱設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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