MDDG2C120R016K3_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:120A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:16mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具備1200V的漏源耐壓（VDSS）與120A的連續(xù)漏極電流能力（ID），導通電阻（RDON）低至16mΩ，顯著降低導通損耗并提升系統(tǒng)效率。基于碳化硅材料的特性，該器件具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和高頻工作能力，適用于高效能電源轉(zhuǎn)換、新能源發(fā)電系統(tǒng)、智能電網(wǎng)設備等高要求場景，助力實現(xiàn)更高功率密度與更優(yōu)熱管理性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
