IV1Q12030T4G_TO-247-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:63A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:32mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品是一款1200V碳化硅N溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），具有較高的電流承載能力和較低的導(dǎo)通損耗。其最大漏極電流ID為63A，導(dǎo)通電阻RDON僅為32mΩ，可在高電壓環(huán)境下實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的功率傳輸。碳化硅材料賦予器件優(yōu)異的熱導(dǎo)率和高頻工作性能，適合應(yīng)用于高功率密度電源系統(tǒng)、可再生能源變換裝置及精密電力調(diào)節(jié)設(shè)備中。器件采用標(biāo)準(zhǔn)封裝形式，便于在多種高性能電子系統(tǒng)中集成使用，滿足對(duì)效率與可靠性有高要求的場景需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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