IV1Q12160T3_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:18A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:160mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），采用先進碳化硅材料工藝，具備優異的導熱性與耐高溫性能。在導通狀態下，其漏極電流ID可達18A，導通電阻RDON低至160mΩ，有助于降低功率損耗并提升系統效率。該器件適用于高頻率、高效率的電力轉換場景，如電源適配器、充電設備及智能電網相關電路，為復雜工況下的穩定運行提供保障。
