BCZ120N32W1_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:63A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:32mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V高壓碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備低導通電阻特性，典型值為32mΩ，可支持高達63A的連續漏極電流。采用寬禁帶半導體材料，具備優異的熱穩定性和開關性能，適用于高效率、高頻電源轉換系統。可廣泛應用于能源、通信、智能電網等領域中的功率因數校正、直流-直流轉換及逆變系統，滿足高電壓、高頻率工況下的可靠運行需求。
