SP50N120CTK_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:63A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:32mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款碳化硅場效應管（MOSFET）采用N溝道結構，最大連續漏極電流（ID）為63A，漏源擊穿電壓（VDSS）達到1200V，具備良好的高壓耐受能力。導通電阻（RDON）為32mΩ，有助于降低導通損耗，提高整體能效。基于碳化硅材料設計，器件展現出優異的熱穩定性和快速開關特性，適用于高頻電源轉換、儲能設備及智能電網中的功率控制單元等高要求場景。
