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STF80N240K6-HXY_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:13.3A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:200mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

該N溝道碳化硅MOSFET具有800V的漏源擊穿電壓（VDSS）和13.3A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為200mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持可靠的柵極驅(qū)動(dòng)控制。采用碳化硅材料，具備優(yōu)異的高頻開(kāi)關(guān)特性和高溫工作能力。適用于高效率的功率轉(zhuǎn)換電路，如大功率開(kāi)關(guān)電源、光伏逆變裝置、儲(chǔ)能系統(tǒng)中的能量變換模塊以及高功率密度的交直流轉(zhuǎn)換設(shè)備，適合在高電壓、高頻率工作環(huán)境下實(shí)現(xiàn)低損耗運(yùn)行。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話(huà)：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

STF80N240K6-HXY_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:13.3A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:200mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝參數(shù)1：ID:13.3A 參數(shù)2：VDSS:800V 參數(shù)3：RDON:200mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)