SG2M040120JH_TO-263-7L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-263-7L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：ID:87.5A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:39mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為1200V N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具有出色的導(dǎo)通和開關(guān)特性。器件最大漏極電流ID可達(dá)87.5A，導(dǎo)通電阻RD(ON)低至39mΩ，有效降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。碳化硅材料賦予器件優(yōu)異的耐高壓與高溫性能，適合高功率密度和高頻開關(guān)應(yīng)用。該MOSFET可廣泛應(yīng)用于新能源發(fā)電、儲(chǔ)能系統(tǒng)、智能電力調(diào)控及相關(guān)高效能電子設(shè)備中，滿足對(duì)性能與可靠性要求較高的場(chǎng)景需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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