IPA60R125CPXKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和24A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）低至110mΩ，有助于降低導通損耗。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩定可靠的柵極驅動控制。采用碳化硅材料，具備優異的高頻開關性能和高溫工作能力，適用于高功率密度電源系統。典型應用包括高效直流-交流逆變裝置、高壓直流電源轉換模塊及可再生能源發電系統的功率級設計，適合對能效和熱管理有較高要求的電力電子場合。
