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RSM120080Z_TO-247-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247-4L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

本產(chǎn)品為1200V高壓碳化硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），具備優(yōu)異的導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)性能。其最大漏極電流ID為32A，導(dǎo)通電阻RD(ON)低至75mΩ，可有效降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。采用碳化硅材料，具備高耐壓、高熱導(dǎo)率和低開(kāi)關(guān)損耗等特性，適用于高功率密度和高頻開(kāi)關(guān)場(chǎng)景。該器件廣泛應(yīng)用于高效電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、可再生能源系統(tǒng)、智能電網(wǎng)及高精度電機(jī)控制等電力電子領(lǐng)域，滿(mǎn)足復(fù)雜工況下的穩(wěn)定運(yùn)行需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話(huà)：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

RSM120080Z_TO-247-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247-4L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247-4L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)