GC3M0080120K_TO-247-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為1200V N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具備32A的連續(xù)漏極電流能力，導(dǎo)通電阻為75mΩ，適用于高功率與高頻應(yīng)用場(chǎng)合。碳化硅材料特性顯著降低開關(guān)損耗，增強(qiáng)器件在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定表現(xiàn)。該MOSFET可廣泛用于高效能電源系統(tǒng)、新能源接入設(shè)備、智能電網(wǎng)相關(guān)裝置以及高密度功率模塊的設(shè)計(jì)中，為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)提供高效、可靠的技術(shù)支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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