SG2M040120LJ_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:40mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具備良好的導通性能與高效的開關特性。其最大漏極電流ID為60A，導通電阻RD(ON)為40mΩ，有助于降低功率損耗并提升系統效率。碳化硅材料的使用增強了器件的高溫穩定性和耐高壓能力，適用于高頻率、高效率的電力電子系統。該器件可廣泛應用于新能源、儲能、智能電網及相關電力電子設備中，滿足多樣化場景下的性能需求。
