P3D06010G2_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數1：IF:10A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.51V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管為獨立式單管結構，額定正向平均電流（IF）為10A，反向重復峰值電壓（VR）可達650V，適用于中高壓功率應用。其正向導通壓降（VF）典型值為1.51V，在持續(xù)導通狀態(tài)下具備較低的功耗表現(xiàn)。基于碳化硅半導體材料，器件具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性、極短的反向恢復時間及微小的反向恢復電荷，有效降低開關過程中的能量損耗。可廣泛用于高頻率開關電源、高效能DC-DC轉換模塊、光伏逆變單元及高性能電源適配器等場合，支持高功率密度與高能效系統(tǒng)設計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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