GC3M0075120D_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:36A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:80mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V N溝道碳化硅場效應管（MOSFET），具備優(yōu)異的導通與開關性能。其最大漏極電流ID為36A，導通電阻RD(ON)低至80mΩ，可有效降低導通損耗，提高系統(tǒng)效率。碳化硅材料的寬禁帶特性使其在高電壓、高頻工作環(huán)境下仍保持穩(wěn)定運行，適用于高效電源轉換設備、可再生能源系統(tǒng)及高密度電力電子裝置，為復雜電力場景提供可靠支持。
