SL19N120A_TO-247_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:18A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為1200V高壓碳化硅N溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），具備18A連續(xù)漏極電流能力及160mΩ的低導(dǎo)通電阻。采用碳化硅材料，實現(xiàn)高效能與低損耗，適用于高頻率、高功率轉(zhuǎn)換場景。其高耐壓特性使其在電源系統(tǒng)中具備出色的穩(wěn)定性和可靠性，廣泛用于高效能電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)、儲能設(shè)備及精密電子設(shè)備中，滿足對性能與效率有高要求的電路設(shè)計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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