AIMW120R035M1HXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:63A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:32mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備優異的電氣性能和穩定性。在25℃環境下，連續漏極電流為63A，導通電阻低至32毫歐，有助于降低導通損耗，提升整體系統效率。碳化硅材料的采用提升了器件的耐高溫能力與開關速度，適用于高頻電源轉換、高效整流、智能電網接口設備及高性能電力電子系統等應用場景。
