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GC2M0080120K_TO-247-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247-4L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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產(chǎn)品介紹

本產(chǎn)品為1200V N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具備低導(dǎo)通電阻特性，典型值為75mΩ，可有效降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。連續(xù)漏極電流能力達(dá)32A，適用于高功率密度電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。碳化硅材料的應(yīng)用顯著提高了器件的開(kāi)關(guān)性能與熱穩(wěn)定性，支持高頻、高壓工作環(huán)境，適用于諸如高效能電源適配器、充電設(shè)備、智能電網(wǎng)及能源管理系統(tǒng)的功率控制單元。該器件采用標(biāo)準(zhǔn)封裝形式，便于集成于各類(lèi)高性能電子設(shè)備中，滿(mǎn)足多樣化設(shè)計(jì)需求。

企業(yè)聯(lián)系方式

深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司

高新企業(yè)

聯(lián) 系人：張婉儀
聯(lián)系電話：18929373249
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014

GC2M0080120K_TO-247-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247-4L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)

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品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247-4L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝參數(shù)1：ID:32A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:75mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)