AS1M025120T_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:1200V 參數3：RDON:25mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款碳化硅場效應管（MOSFET）為N溝道增強型器件，最大連續漏極電流可達80A，漏源耐壓高達1200V，適用于高電壓與高功率應用場景。其導通電阻低至25mΩ，有助于降低導通損耗，提升整體能效。碳化硅半導體材料賦予器件優異的高頻響應、高溫穩定性和抗輻射性能，適合復雜工況下的長期運行。該MOSFET可廣泛用于高效電源變換、可再生能源系統、精密控制電路及高可靠性電子裝置中，滿足對性能與穩定性要求嚴苛的設計需求。
