P3D06010E2_TO-252N-2L_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252N-2L 類別：碳化硅二極管 最小包裝：2500/圓盤 參數1：IF:10A 參數2：VR:650V 參數3：VF:1.37V 參數4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式結構，具備10A的正向平均電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），適用于中高功率密度的電力轉換設計。其正向導通壓降（VF）低至1.37V，有效降低導通損耗，提升系統整體能效。得益于碳化硅材料特性，器件具有優異的高溫工作穩定性與極快的開關速度，反向恢復特性理想，適用于高頻開關電源、DC-DC轉換模塊、功率因數校正電路等應用，尤其適合對熱性能和轉換效率有較高要求的電子設備。
