GC2M0160120K_TO-247-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：ID:19A 參數(shù)2：VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品是一款1200V碳化硅N溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），具有19A的額定漏極電流和160mΩ的低導(dǎo)通電阻。器件采用碳化硅半導(dǎo)體材料，具備良好的高溫穩(wěn)定性和高效的開關(guān)特性，適用于高頻電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)、智能電力設(shè)備及高可靠性電源管理場合，能夠滿足對效率與性能有較高要求的電路設(shè)計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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