FCPF11N60T-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:260mR 參數4：VGS:-5~+16V 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和15A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDON）低至260mΩ，有助于降低導通損耗。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持可靠的柵極驅動控制。基于碳化硅材料的特性，該器件具備優異的高頻開關性能和高溫工作穩定性，適用于高效率功率轉換電路。典型應用包括高頻開關電源、高功率密度電源適配器、光伏逆變模塊及儲能系統的功率級設計，滿足對能效和緊湊布局要求較高的場景。
