STF31N65M5-HXY_TO-220F_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:24A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:110mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅場效應(yīng)管具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和24A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDS(on)）低至110mΩ，有助于降低開關(guān)與導(dǎo)通損耗。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持穩(wěn)定可靠的柵極驅(qū)動控制。采用寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的高頻、高溫工作性能，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)。典型應(yīng)用包括高密度開關(guān)電源、光伏逆變裝置、儲能系統(tǒng)中的功率變換模塊以及需要高耐壓與低損耗特性的電力電子電路。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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