FCPF125N65S3-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:24A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:110mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET具有650V的漏源擊穿電壓（VDSS）和24A的連續(xù)漏極電流（ID），導通電阻（RDS(on)）典型值為110mΩ，有助于降低導通損耗。柵源電壓范圍為-4V至!8V，支持可靠的柵極驅動控制。基于碳化硅材料特性，器件具備優(yōu)異的高頻開關能力、高溫穩(wěn)定性及較低的反向恢復電荷。適用于高效率、高功率密度的電源系統(tǒng)，如大功率開關電源、光伏逆變裝置、儲能系統(tǒng)中的功率轉換模塊，以及對熱性能和空間布局要求較高的緊湊型電力電子設備。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
