P3D06008G2_TO-263N_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263N 類別：碳化硅二極管 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：IF:8A 參數(shù)2：VR:650V 參數(shù)3：VF:1.42V 參數(shù)4：二極管配置:獨立式 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備8A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），正向壓降低至1.42V。器件利用碳化硅材料特性，實現(xiàn)快速開關響應與高工作溫度能力，反向恢復特性優(yōu)異，可有效降低開關損耗。適用于高效率直流-直流轉換、功率因數(shù)校正電路及高壓電源模塊，在高頻開關電源與可再生能源逆變系統(tǒng)中表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性和可靠性，有助于提升整體能效并減小散熱設計負擔。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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