IPA65R125C7XKSA1-HXY_TO-220F_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：ID:24A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:110mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅場效應管具有650V的漏源電壓（VDSS）和24A的連續漏極電流（ID），導通電阻低至110mΩ，適用于高效率功率轉換設計。柵源電壓范圍為-4V至!8V，確保了器件在復雜工況下的穩定控制與可靠性。采用寬禁帶半導體材料，具備優異的開關特性與高溫工作能力，可顯著降低開關損耗。典型應用于高密度電源、可再生能源逆變系統、高端開關電源及要求嚴苛的電力電子變換裝置中，適合對熱管理和空間布局有高要求的設計場景。
