IPAN60R360PFD7S-HXY_TO-220F_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-220F 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：ID:15A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：VGS:-5~+16V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅MOSFET具有650V漏源電壓（VDSS）和15A連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至260mΩ，有助于減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍為-5V至!6V，支持穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)控制。依托碳化硅材料的高耐壓、低開(kāi)關(guān)損耗特性，該器件適用于高頻高壓工作環(huán)境，典型應(yīng)用包括高效開(kāi)關(guān)電源、大功率DC-DC變換器、不間斷電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊以及高性能逆變?cè)O(shè)備，能夠滿足對(duì)能效、熱管理和空間利用率有較高要求的電源設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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