TSD65R550_TO-252-2L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:6.8A 參數2：VDSS:650V 參數3：RDON:460mR 參數4：VGS:VGS:-4/+18VV 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道碳化硅MOSFET的漏源擊穿電壓（VDSS）為650V，連續漏極電流（ID）達6.8A，導通電阻（RDON）為460mΩ，有助于降低導通損耗，提高系統效率。柵源電壓范圍（VGS）為-4V至!8V，具備良好的驅動兼容性與穩定性?；谔蓟璨牧系奶匦裕骷С指哳l開關操作，具有優異的熱性能和可靠性。適用于高效率開關電源、太陽能逆變裝置、儲能系統中的功率轉換模塊以及高密度電源適配器等應用，尤其適合對散熱設計和空間布局有較高要求的電力電子設備。
