MJD08N65_TO-252-2L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:6.8A 參數(shù)2：VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:460mR 參數(shù)4：VGS:VGS:-4/+18VV 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管具有650V的漏源電壓（VDSS）和6.8A的連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻低至460mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。柵源電壓范圍為-4V至!8V，具備良好的柵極控制穩(wěn)定性。采用寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅，可支持高頻、高溫及高壓工作環(huán)境，適用于高效率開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、光伏逆變系統(tǒng)及高密度功率模塊等場(chǎng)景，其優(yōu)異的開關(guān)特性有助于減小無(wú)源器件體積，提高整體功率密度。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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